冶金大讲堂： Phonon and Hot Carrier Behavior: Down to Picosecond and Atomic Scale（声子和热载流子行为：低至皮秒和原子尺度）

报告人：XinWei Wang（王信伟）教授

报告题目： Phonon and Hot Carrier Behavior: Down to Picosecond and Atomic Scale（声子和热载流子行为：低至皮秒和原子尺度）

报告时间：5月21日 下午14:30

报告地点：砺志楼L215

报告人简介：

王信伟，普渡大学博士，美国依阿华州立大学机械工程系终身教授。1989年至1996就读于中国科技大学热科学与能源工程系，分别获学士、硕士学位，1997至年2001年在美国普渡大学机械工程系攻读博士学位，2001年至2007年在美国内布拉斯加大学林肯分校工作任助理教授，副教授，2008年起在依阿华州立大学机械工程系任副教授、教授。王信伟教授于2011年和2014年被选为美国航空航天学会Associate Fellow 和美国机械工程师学会Fellow。 多年来，王信伟教授主要从事微尺度材料领域前沿课题的研究，包括纳米结构对声子散射的分子动力学研究以及微米/纳米低维材料热物性的非接触非破坏性测量、基于拉曼散射的原子量级分辨率的温度测定和物体界面的能量耦合的测量等，开展了碳纳米管，纳米薄膜，微米材料和生物材料的传热特性及结构的研究。发展了8种全新的瞬态微/纳米测量技术，首次测量了小于10纳米材料的温度和近场光学下的热响应。他领导实验室利用拉曼散射技术首次获得了纳米尺度的空间温差的测量，并以此测定了石墨烯-基底之间的能量耦合。利用物理差分的测量方法，他领导实验室首次实现了小于纳米厚度材料的热导系数在毫米长度的测量。他提出和发展的热扩散阻力系数（Thermal Reffusivity）深刻揭示了材料内部结构缺陷对电子和声子的能量传递的影响。 材料的德拜温度可以直接从其对温度的变化曲线获得。 同时材料的结构特征尺寸可以从其绝对零度极限的残余值获得。其研究工作获得美国自然科学基金、美国能源部、陆军、海军和空军等30余个项目的资助和支持，担任多个国际期刊的编委。于2013年获得了普渡大学的首届Viskanta Fellow奖,以表彰他在热学领域的独立和前沿贡献。

报告内容简介：

This talk will cover our new frontier research on phonon and electron transport probing based on Raman scattering, a technology traditionally widely used for structure analysis. The Raman-based thermal probing in two areas of our work will be covered. The first one is micro/submicron particle induced near-field effect. This phenomenon has been widely used in surface nanoscale structuring and imaging. For the first time, we have achieved nanoscale mapping of particle-induced thermal, stress, and optical fields under near-field excitation at a 20 nm resolution. This represents a very exciting advance for far-field thermal probing of near-field thermal phenomenon with an ultra-high resolution. The second area is our recent development of energy transport-state resolved Raman (ET-Raman). This is a breakthrough that pushes the physics process study down to nanosecond and picosecond scales, and is able to simultaneously characterize the conjugated transport of phonons in the in-plane and across-plane directions and transport of hot carriers in the in-plane direction. 2D materials as thin as 1.8 nm have been investigated, and we are able to measure the in-plane thermal conductivity, interface thermal resistance, and hot carrier diffusion coefficient/mobility at the same time. This provides an advanced phonon and electron transport study of virgin 2D materials.

主办单位：冶金与材料工程学院 发布单位：科研处